Era atteso dall’industria per poter misurare e controllare la composizione dei film sottili
Un ampio spettro di dispositivi optoelettronici – dai lettori CD ai semafori stradali – potrebbe beneficiare in futuro delle caratteristiche di un piccolo pezzo di semiconduttore delle dimensioni di un bottone, rivestito con una lega di alluminio, gallio e arsenico (AlGaAs).
Il rivestimento, di un centimetro quadrato e spesso solo 3 micrometri, è il primo standard per la composizione chimica di un semiconduttore a film sottile mai stabilito dal National Institute of Standards and Technology (NIST, http://www.nist.gov/). Lo Standard Reference Material (SRM) 2841 – questo il nome della lega – era atteso dall’industria dei semiconduttori per poter misurare e controllare la composizione dei film sottili. Tra i possibili acquirenti vi sono non solo società private ma anche laboratori di università e di altri enti pubblici.
L'AlGaAs viene utilizzato come materiale di barriera per incrementare la conducibilità nei circuiti ad alta velocità per le comunicazioni wireless; nei laser a semiconduttori per i drive dei dischi a lettura ottica; nella scansione dei codici a barre, nella xerografia, nella chirurgia laser e infine nei diodi a emissione di luce per il controllo remoto.
Ci si aspetta che il nuovo standard possa incrementare l’accuratezza della caratterizzazione chimica dei film di AlGaAs di un ordine di grandezza rispetto all’attuale livello. Il miglioramento dell’accuratezza ridurrà la dispendiosa duplicazione dei wafer di riferimento, aumentando al contempo l’accuratezza dei dati sulla relazione tra la composizione dei materiali e le sue proprietà. A livello commerciale, infine, favorirà il libero scambio di materiali a film sottile tra venditori e acquirenti.
