Numerose le possibili applicazioni, dalle comunicazioni ai sistemi di difesa
Un gruppo di ricerca frutto della collaborazione tra l’IBM (http://www.ibm.com/) e il Georgia Institute of Technology (http://www.gatech.edu/) ha realizzato il primo transistor silicio-germanio in grado di operare a frequenze intorno a 500 GHz. Il risultato, sebbene il primato sia stato raggiunto in condizioni di temperature molto basse, ridefinisce i limiti delle prestazioni dei semiconduttori al silicio, che potrebbero essere assai più elevati di quanto finora ritenuto.
I circuiti al silicio-germanio a frequenza ultra-alta hanno molte possibili applicazioni, dai sistemi di comunicazione, ai sistemi di difesa, alle piattaforme elettroniche per lo spazio, fino ai sistemi di sensori remoti.
Raggiungere queste velocità estreme con tecnologie al silicio è particolarmente importante, in quanto esse possono essere prodotte utilizzando tecniche convenzionali a basso costo, e soprattutto su vasta scala. Un resoconto della ricerca che ha portato a questo importante risultato sarà pubblicato sul numero di luglio della rivista "IEEE Electron Device Letters".
