Leghe di afnio sostituiranno come isolante il biossido di silicio
Nuovi materiali con elevatissima costante dielettrica potrebbero rappresentare la chiave per ottenere chip per computer ancora più piccoli e veloci, permettendo all’industria microelettronica di seguire ancora per un certo tempo la cosiddetta “legge di Moore”, secondo la quale la densità dei transistor che può essere collocata su un chip raddoppia ogni due anni.
Finora infatti la tecnologia dei chip si è sviluppata proprio secondo le previsioni della “legge di Moore” e oggi in uno spessore pari a quello di un capello si possono collocare più di 2000 transistor, commutandoli oltre 300 miliardi di volte al secondo. A questa miniaturizzazione spinta ha però corrisposto un progressivo aumento degli effetti quantistici, come l’effetto tunnel, che finiscono per generare fughe di corrente, che comportano sia uno spreco di energia sia un forte surriscaldamento delle strutture. Si è così diffusa la convinzione che entro pochi anni la corsa alla miniaturizzazzione sia destinata a fermarsi per l’eccessivo disturbo che questi effetti quantistici provocherebbero su chip ancora più densi.
Ora Intel (http://www.intel.com/) e IBM (http://www.ibm.com/) hanno annunciato di aver sviluppato, indipendentemente l’una dall’altra, materiali basati sull’afnio che consentono di ridurre drasticamente le perdite di energia. Mentre l’IBM non ha ancora fornito dettagli del proprio prodotto, la Intel ha già annunciato che lo utilizzerà per i transistor da 45 nanometri che ha sviluppato per i suoi processori di prossima generazione.
La lega di afnio creata dalla Intel possiede una costante dielettrica molto più elevata di quella del biossido di silicio attualmente utilizzato come isolante dall’industria dei semiconduttori, che sembra in grado di mitigare le perdite di energia. (gg)
