IBM, all'International Electronic Device Manufactures (IEDM) Conference, che si è tenuta dal 2 al 5 dicembre a Washington, ha presentato le specifiche di un nuovo tipo di transistor a effetto di campo (il componente basilare della maggior parte dei microchip) che consentirà maggiori prestazioni, più efficienza e minori consumi.
Double Gate, questo il nome dato al transistor, funziona a una velocità doppia rispetto a quelli tradizionali grazie a un controllo migliorato del flusso di corrente, e ha anche dimensioni minori (e anche quest'ultimo, la miniaturizzazione, è un aspetto è molto importante).
Double Gate nasce da varie innovazioni introdotte da IBM sia nella progettazione che nei materiali, come ad esempio SOI (Silicon on Insulator), una tecnica di fabbricazione di chip in fase di adozione come standard nel settore della componentistica (Toshiba, Intel). SOI, tra l'altro, consente di impiegare le normali linee di produzione dei chip.
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