Secondo Craig Barrett, CEO di Intel, intervenuto al discorso di apertura della conferenza degli sviluppatori Intel, tra 15 anni, nel 2017, i chip arriveranno a velocità intorno ai 30 GHz con dimensioni del wafer di 450-mm di diametro, e la circuiteria sarà di appena 0,010 micron (oggi è di 0,13 micron).
A questa affermazione risponde IBM (la notizia è stata diffusa dal Boston Globe), che tra non molto tempo potrebbe produrre processori che gireranno alla velocità di 110 GHz.
Tale velocità sarà possibile grazie all'utilizzo di un nuovo tipo di transistor capace di accendersi e spegnersi 110 miliardi di volte al secondo e dall'uso del Germanio Silicio. Il transistor è l'ormai noto "double gate".
Lo studio dell'uso del Germanio Silicio risale agli anni '50 e recentemente la tecnologia è stata messa a punto. Le difficoltà maggiori nell'uso del Germanio Silicio sono i costi e le difficoltà di assemblaggio, che rendono quasi impossibile la produzione di processori interamenti basati su di esso. Tuttavia ora IBM sarebbe capace di produrre processori che al 99% usano il silicio tradizionale e all'1% il Germanio Silicio, mutuando da quest'ultimo le capacità di produrre velocità più alta e dal primo l'economicità. Abbinando questa tecnologia con i transistor double gate ecco i processori da 110 GHz.
Secondo IBM il risultato più interessante è che questo tipo di processori non avrà bisogno di impianti di produzione dedicati, ma potrà usare le stesse linee che oggi fabbricano i processori PowerPC (basterà semplicemente "spruzzare" il Germanio Silicio sui wafer di silicio).
La data di presentazione commerciale di questi processori, destinati in primo luogo ai sistemi per le comunicazioni, è stata fissata per la fine dell'anno in corso.
