E' stato prodotto presso l’Università del Wisconsin a Madison in collaborazione con l’Università di Basilea, un supporto di memoria capace di codificare un bit mediante l’assenza o la presenza di un atomo di silicio. Tale dispositivo, descritto in un articolo sulla rivista "Nanotechnology", permetterebbe di immagazzinare 250 terabit di dati per pollice quadrato.
Le tracce di memoria autoassemblate sono larghe cinque file di atomi, ciascun bit è codificato dalla presenza o assenza di un atomo d silicio in una cella bidimensionale di 5 x 4 atomi. Gli altri 19 atomi impediscono al bit di interagire con quelli vicini. I dati possono essere scritti e letti utilizzando un microscopio a scansione a effetto tunnel.
Il pregio di questo sistema è, a differenza di altri, la sua stabilità a temperatura ambiente: non necessita, cioè, come precedenti realizzazioni analoghe, di bassissime temperature. Inoltre, gli atomi sono posizionati a distanze ben definite lungo le tracce, e ciò permette l’utilizzo di procedure di lettura automatizzata simili a quelle utilizzate per i dischi fissi convenzionali.
Vi sono tuttavia anche dei problemi: la memoria deve essere preparata e mantenuta in condizioni di vuoto e la velocità di scrittura e lettura, almeno per il momento, è relativamente bassa.
