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Tecnologie e Società

 

Chip al carbonio
15/03/2003

di Azzurra Pici


Arriverà l'era dei chip al carbonio? Sembra proprio sia d'obbligo la risposta affermativa, dato che dei ricercatori in Inghilterra sono riusciti a produrre film di diamante sintetico dalle proprietà elettriche simili a quelle del silicio. Dice Gehan Amaratunga dell'Università di Cambridge in una pubblicazione sulla rivista "Science": "Questi risultati potrebbero essere il fattore decisivo per l'elettronica al carbonio" perché gli elettroni e le lacune che trasportano il flusso di correnti elettriche nei semiconduttori si muovono almeno due volte più velocemente nei film di diamante che in altri materiali concorrenti. Ciò implica che alcuni dispositivi quali i transistor, basati sui film di diamante potrebbero raggiungere la velocità di quelli al silicio e competere con essi.

Il tutto avverrà mediante la semplice ottimizzazione di una tecnica da parte di Jan Isberg, dello svedese ABB Group Services Center. Tale tecnica è nota fin dagli anni '80 e sfrutta le microonde per far depositare il carbonio da un plasma. Nel passato, col procedimento che spezzava molecole di metano e provocava il deposito di carbonio su una superficie dove gli atomi formavano il diamante, si riuscivano a produrre solo isole non uniformi di piccolissimi cristallini di diamante, ora invece i ricercatori sono riusciti ad ottenere film spessi e di alta qualità. In genere il diamante quand'è puro è considerato un buon isolante, quindi incapace di condurre elettricità. Tuttavia, come il silicio, esso può essere portato alla condizione di semiconduttore aggiungendogli piccole impurità, per esempio di boro o azoto.

Il gruppo di Isberg ha prodotto diamante drogato al boro aggiungendo un composto di idrogeno e boro, il diborano, alla miscela di metano ed idrogeno utilizzata per deporre i diamanti. Si spera che i dispositivi al diamante possano un giorno funzionare dove quelli in silicio falliscono, più che sostituirli. Ad esempio, i circuiti integrati al diamante potrebbero lavorare oltre la temperatura di 150°C, al di sopra della quale quelli al silicio non possono funzionare.


[Nell'ambito dell'attività laboratoriale 2002/03 dei Corsi di Teoria e tecniche delle comunicazioni di massa e di Progettazione di contenuti per i nuovi media (Università di Bologna, MUSPE), realizzata in collaborazione con NoemaLab]














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