Oggigiorno molti apparecchi tecnologici sono basati sull'elemento silicio e le tecniche utilizzate per fabbricarli sono molto avanzate. Ad esempio, esistono diversi metodi per ottenere nanotubi di silicio mediante i quali si ottengono cavi con orientazioni e diametri differenti, ricoperti solitamente da una guaina di ossido spessa tra uno e tre nanometri. Comunque il più piccolo cavo di silicio finora creato possiede un diametro tra tre e cinque nanometri, anche se c'è da dire che si verificano effetti quantistici significativi soltanto con diametri inferiori ai tre nanometri.
Ebbene, un team di scienziati della City University (http://www.cityu.edu.hk/) di Hong Kong guidato da Shuit-Tong Lee ha ottenuto cavi di silicio di pochi nanometri per mezzo della rimozione dello strato di ossido della guaina di ogni cavo terminandone la superficie con idrogeno per renderlo resistente all'ossidazione. In accordo con le previsioni teoriche, i ricercatori hanno scoperto che i gap di banda elettronica dei tubi sono inversamente proporzionali alla diminuzione del diametro dei tubi stessi: da 1.1 elettronvolt per cavi con diametro di 7 mm, a 3.5 elettronvolt per cavi da 1.3 mm.
Tutto ciò fornisce quindi una prova sperimentale degli effetti quantistici sulla densità degli stati elettronici dei nanotubi. Si spera ora che questi cavi possano essere usati in diodi a emissione di luce e laser.
